高周波誘導コイルの位置調整ストレートシーム鋼管:
ストレートシーム鋼管の励磁周波数は、励磁回路内の静電容量とインダクタンスの平方根に反比例、または電圧と電流の平方根に比例します。回路内の静電容量、インダクタンス、または電圧と電流が変更される限り、励磁周波数を変更してはんだ付け温度の制御目的を達成できます。低炭素鋼の場合、溶接温度は1250〜1460℃に制御され、パイプ肉厚3〜5mmの溶け込み要件を満たすことができます。また、溶接速度を調整することで溶接温度を実現することもできます。
高周波誘導コイルは絞りローラーの位置にできるだけ近づける必要があります。誘導コイルが押出ローラーから遠く離れていると、有効加熱時間が長くなり、熱影響を受ける領域が広くなり、溶接シームの強度が低下します。そうしないと、溶接シームの端の加熱が不十分になり、押し出し後の形状が不良になります。インピーダンスは、溶接パイプ用の 1 つまたは特殊な磁性ロッドのグループです。インピーダンスの断面積は、通常、鋼管の内径の 70% 以上である必要があります。近接効果が発生し、渦電流熱が管ブランクの溶接端付近に集中し、管ブランクの端が溶接温度まで加熱されます。インピーダンスは鋼線によってチューブブランク内に引きずられ、その中心位置は押出ローラーの中心近くに比較的固定されている必要があります。始動時は素管の動きが速いため、素管の内壁との摩擦により抵抗器が摩耗し、頻繁に交換する必要があります。
チューブブランクの両端が溶接温度まで加熱された後、石油ケーシングが押出ローラーで絞られて共通の金属粒子が形成され、相互に浸透して結晶化し、最終的に強固な溶接が形成されます。押出力が小さすぎると、生成する共通結晶の数が少なく、溶接金属の強度が低下し、応力が加わった後に割れが発生します。溶接および押し出し後に溶接痕が発生します。フレームにツールを固定し、溶接パイプを素早く動かすことで溶接痕を削る方式です。溶接されたパイプの内部にはバリは通常存在しません。押し出し力が大きすぎると、溶接部から溶融状態の金属が押し出され、溶接部の強度が低下するだけでなく、内外のバリが多く発生し、さらには次のような欠陥が発生します。溶接ラップ。
入力熱が不十分な場合、加熱された溶接端は溶接温度に到達できず、金属組織は固体のままで、不完全な溶融または不完全な溶け込みが形成されます。入力熱が不十分な場合、加熱された溶接端が溶接温度を超え、過熱が発生します。焼けたり滴ったりすると、溶接部に溶けた穴が形成されます。溶接温度は主に高周波渦電流熱出力の影響を受けます。関連する式によると、高周波渦電流熱出力は主に電流周波数の影響を受け、渦電流熱出力は電流励起周波数の二乗に比例します。電流の励起周波数は励起電圧、電流、静電容量、およびインダクタンスの影響によって影響されます。
ストレートシーム溶接管の製造プロセスは簡単で、生産効率が高く、コストが低く、開発が早いです。一般に溶接管の強度はストレートシーム溶接管よりも高くなります。より大きな直径の溶接パイプはより狭いブランクで製造でき、異なる直径の溶接パイプも同じ幅のブランクで製造できます。ただし、同じ長さのストレートシームパイプと比較すると、溶接長さが30〜100％長くなり、生産速度が遅くなります。したがって、小径溶接管の多くはストレートシーム溶接を採用し、大径溶接管の多くは溶接を採用しています。
溶接パイプ製品は、水道工学、石油化学産業、化学産業、電力産業、農業灌漑、都市建設などで広く使用されています。これらは我が国が開発した20の主要製品です。液体の輸送、給水、排水に使用されます。ガス輸送用：ガス、蒸気、液化石油ガス。構造目的: パイプの杭として、橋として。埠頭、道路、建築構造物などのパイプ。
高周波溶接されたパイプの平坦化と亀裂は、溶接の微小亀裂、硬くて脆い相の介在物、および粗粒構造によって引き起こされます。溶接を適切に制御するために、溶接介在物亀裂指数の概念が提案されています。主に溶接強度、形状、延性の不足が原因です。シーム溶接部に衝撃靱性に影響を与える小さな介在物がある場合、鋼管の向かい合う 2 つの壁が鉄箱の近くで平らになった場合にのみ溶接割れが発生することがあります。溶接割れを低減し、溶接靱性を向上させ、溶接介在物を低減します。では、溶接部の介在物を減らすにはどうすればよいでしょうか?第一に、原料の純度を向上させ、PおよびSの含有量を低減し、介在物含有量を低減する必要がある。次に、鋼帯のエッジに傷がないか、錆や汚れが付着していないかを確認します。これらは溶融金属の排出に悪影響を及ぼし、溶接介在物が発生しやすいものです。繰り返しますが、不均一な肉厚、バリ、膨らみは溶接電流の変動を引き起こし、溶接に影響を与える可能性があります。
投稿日時: 2023 年 2 月 10 日